sale@soner.com.ua
Режим работы:
Пн-Пт с 9:00 до 17:00
Валюта:


Шановні покупці у зв'язку з військовим станом в Україні сайт тимчасово не працює :-(
Просимо звернути увагу, що ціни та наявність товарів на сайті не актуальні!!!
Наразі, замовлення зроблені на сайті - не обробляються.
. Дякуємо за розуміння.


<< пред   1   2   3   4   5   6   7   8    ...   73   след >>


 
Нет на складе


1, 1600 MHz, CL11, 1.5V
Модуль памяти DDR3 2GB 1600 MHz Team (TED32G1600C1101)  работает с тактовой частотой 1600 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 12800 МБ/с. DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Этот модуль памяти имеет параметр CL11, что обозначает величину латентности, равную 11. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину. Преимущества по сравнению с DDR2: более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с), сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания),  меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение. Основные характеристики...

 
Нет на складе


1, 1600 MHz, CL11, 1.5V
Модуль памяти DDR-3 2GB 1600 MHz Elite Team (TED3L2G1600C1101) — это качественная оперативная память современного типа. Прекрасно подойдет для решения ежедневных задач на рабочем компьютере. Планка имеет объем 4 ГБ, что позволяет ее использовать и как основной объем оперативной памяти на компьютере, так и в дополнение к существующему. Особенности: тип памяти: DDR3; объем памяти: 2GB; частота памяти: 1600 MHz.Основные характеристики Производитель: Team Модель: DDR-3 2GB1600 MHz Elite Артикул: TED3L2G1600C1101 Гарантия, мес: 60 Количество модулей в наборе: 1 Напряжение: 1.5V Объем памяти: 2 GB Охлаждение: + радиатор ...

 
Нет на складе


1, 1600 MHz, CL11, 1.5V
DDR3 SDRAM - це третє покоління синхронної динамічної пам'яті з довільним доступом і подвоєною швидкістю передачі даних. Переваги в порівнянні з DDR2: - Більш висока пропускна здатність (до 19200 МБ / с), - Знижене тепловиділення (результат зменшення напруги живлення), - Менше енергоспоживання та поліпшене енергозбереження. Модуль пам'яті DDR3 2048Mb GOODRAM (GR1600D364L11/2G) має параметр CL11, що позначає величину латентності, рівну 11. CAS-латентність - перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину. DDR3 2048Mb GOODRAM (GR1600D364L11/2G) - це модуль пам'яті, який працює з тактовою частотою 1600MHz, і з піковою швидкістю передачі даних 12800 МБ / ...

 
Нет на складе


1, 1600 MHz, CL11, 1.5V
Модуль памяти для компьютера  DDR3L 2GB 1600 MHz A-DATA (AD3U160022G11-S)Оперативная память компьютера или ноутбука – это один из важнейших элементов системы, который напрямую отвечает за быстродействие приложений. Именно в ней хранятся временные данные и команды, которые необходимы процессору в его работе для выполнения конкретных операций. Основные характеристики –  тип оперативной памяти; объем; тактовая частота; тайминги (или латентность) оперативной памяти; фирма-производитель. Поэтому, планируя апгрейд своего компьютера, стоит выбирать только качественные комплектующие, например    модуль  DDR3L 2GB 1600 MHz A-DATA (AD3U160022G11-S)  . Ведь сбой в работе оперативной памяти может повлечь за собой ...

 
Нет на складе


1, 1333 MHz, CL9, 1.5V
Модуль памяти для компьютера DDR3 2GB 1333 MHz A-DATA (AD3U133322G9-S)Оперативная память компьютера или ноутбука – это один из важнейших элементов системы, который напрямую отвечает за быстродействие приложений. Именно в ней хранятся временные данные и команды, которые необходимы процессору в его работе для выполнения конкретных операций. Основные характеристики – это тип оперативной памяти; объем; тактовая частота; тайминги (или латентность) оперативной памяти; фирма-производитель. Поэтому, планируя апгрейд своего компьютера, стоит выбирать только качественные комплектующие, например    модуль DDR3 2GB 1333 MHz A-DATA (AD3U133322G9-S)  . Ведь сбой в работе оперативной памяти может повлечь за собой замедление работы ...

 
Нет на складе


1, 800 MHz, CL6
DDR2 SDRAM - это второе поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. DDR2 SDRAM использует передачу данных по обоим срезам тактового сигнала, за счёт чего при такой же частоте шины памяти, можно фактически удвоить скорость передачи данных по сравнению с DDR.Преимущества DDR2 SDRAM по сравнению с DDR:- более высокая полоса пропускания;- как правило, меньшее энергопотребление;- улучшенная конструкция, способствующая охлаждению.Модуль памяти DDR2 2048Mb Hynix (HYMP125U64CP8-S6-C) имеет параметр CL6, что обозначает величину латентности, равную 6. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину. От этого параметра больше всего зависит производительнос...

 
Нет на складе


1, 1600 MHz, CL11, 1.5V
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.Преимущества по сравнению с DDR2:- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/ с),- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания),- меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.Модуль памяти DDR3 2048Mb Team (TED32G1600HC1101) имеет параметр CL11, что обозначает величину латентности, равную 11. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину. DDR3 2048Mb Team (TED32G1600HC1101) - это модуль памяти, который работает с тактовой частотой 1600MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 12800 МБ/с...

 
Нет на складе


1, 2133 MHz, CL15, 1.2 V
Модульпамяти DDR4 4Gb 2133 MHz GOODRAM (GR2133D464L15S/4G) - отличноерешение для использования в ПК, где требуется очень большая скорость передачиданных, большая емкость и низкое энергопотребление. Модуль отличаетсянапряжением питания (1,2 В), что сокращает эксплуатационные расходы иэкономит энергию до 40%. Инновационная конструкция плат PCB значительноувеличивает сопротивление механическим повреждениям и скачккам напряжения.Это секрет его надежности, а модуль остается стабильным даже в самыхэкстремальных условиях.Модуль памяти DDR4 4Gb 2133 MHz GOODRAM (GR2133D464L15S/4G) является инновационным решением, построенным на основе новейших платформIntel, которые употребляют чипсет Х99, а также процессоры линейки iCoreHaswell E. Тактовая частота составляет ...

 
Нет на складе


Тип памяти - DDR 3, объем памяти - 4 GB, количество модулей в наборе - 1, частота памяти - 1600 MHz, тайминги - CL11, напряжение - 1.5V
Оперативная память незаменима для выполнения различных задач, таких как: работа с объемными текстами, таблицами, графиками; архивирование, шифрование, работа с базами данных; компьютерные игры, а также многие другие задачи. Память обеспечит Вам быструю результативную работу за компьютером и комфортный отдых! DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.Преимущества по сравнению с DDR2:- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/ с),- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания),- меньшее энергопотребление и улучшенное энергосбережение.Модули памяти DDR3 A-DATA созданы на базе новейшего поколения технологии DDR. Как и все модули памяти комп...

 
Нет на складе


1, 800 MHz, 1.8-2.1V
DDR2 SDRAM - это второе поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. DDR2 SDRAM использует передачу данных по обоим срезам тактового сигнала, за счёт чего при такой же частоте шины памяти, можно фактически удвоить скорость передачи данных по сравнению с DDR.  Преимущества DDR2 SDRAM по сравнению с DDR: более высокая полоса пропускания, как правило, меньшее энергопотребление, улучшенная конструкция, способствующая охлаждению.Модуль памяти DDR2 2GB 800 MHz Samsung (M378B5663QZ3-CF7) имеет параметр CL6, что обозначает величину латентности, равную 6.  CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину. От э...

 
Нет на складе


Тип памяти - DDR 3, объем памяти - 4 GB, количество модулей в наборе - 1, частота памяти - 1600 MHz, тайминги - CL11, напряжение - 1.5V
Модуль памяти для компьютера DDR3 4GB 1600 MHz LEVEN (JR3U1600172308-4M)Оперативная память компьютера или ноутбука – это один из важнейших элементов системы, который напрямую отвечает за быстродействие приложений. Именно в ней хранятся временные данные и команды, которые необходимы процессору в его работе для выполнения конкретных операций. Основные характеристики – это тип оперативной памяти; объем; тактовая частота; тайминги (или латентность) оперативной памяти; фирма-производитель.Поэтому, планируя апгрейд своего компьютера, стоит выбирать только качественные комплектующие, например модуль памяти  DDR3 4GB 1600 MHz LEVEN (JR3U1600172308-4M). Ведь сбой в работе оперативной памяти может повлечь за собой замедление работы компьютера, потерю важных д...

 
Нет на складе


1, 2133 MHz, CL15, 1.2 V
Модуль памяти для компьютера DDR4 4GB 2133 MHz Apacer (AU04GGB13CDWBGH)Оперативная память компьютера или ноутбука – это один из важнейших элементов системы, который напрямую отвечает за быстродействие приложений. Именно в ней хранятся временные данные и команды, которые необходимы процессору в его работе для выполнения конкретных операций. Основные характеристики – это тип оперативной памяти; объем; тактовая частота; тайминги (или латентность) оперативной памяти; фирма-производитель. Поэтому, планируя апгрейд своего компьютера, стоит выбирать только качественные комплектующие, например оперативную память DDR4 4GB 2133 MHz Apacer (AU04GGB13CDWBGH).Память Apacer предоставляет качество, надежность и скорость передачи данных, необходимые для современных...

<< пред   1   2   3   4   5   6   7   8    ...   73   след >>